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台积电率先量产40纳米工艺

TSMC日前表示,40纳米通用(40G)和40纳米低功耗(40LP)工艺已经正式进入大规模生产,成为集成电路制造服务中专业生产40纳米工艺的公司。 同时,还为40纳米通用和40纳米低功耗技术提供设备齐全的设计服务,包括组件数据库、硅知识产权、设计参考流程、工程服务,以及每月向客户推出CyberShuttle服务进行产品试生产等。

40nm工艺是目前半导体工业中较先进的大规模生产工艺之一。 太极公司今年3月宣布了40纳米通用和40纳米低功耗技术的相关规划日程。其中,40纳米通用技术适用于高性能产品应用,如中央处理器、图形处理器、游戏机、网络、可编程逻辑门阵列(FPGA)和硬盘驱动芯片。40纳米低功耗工艺适用于通信基带芯片、应用处理器、便携式消费产品和无线通信产品等应用

AMD公司高级副总裁兼图形业务组总经理里克伯格曼(Rick Bergman)表示,40纳米工艺是使图形芯片和其他半导体元件更具成本效益的关键,尤其是在2009年 太极大规模生产40纳米技术是AMD和太极长期成功大规模生产先进技术的又一里程碑。

美国Altera公司全球运营和工程高级副总裁比尔哈塔(Bill Hata)表示,如今芯片设计师面临的挑战是如何在不增加产品功耗的情况下增加产品功能。 Altera推出业界更先进的40纳米可编程逻辑器件(Programmable Logic Device),使芯片设计者能够在当前功耗规格范围内快速集成元件,实现产品创新。 美国公司NVIDIA运营高级副总裁黛博拉肖奎斯特(Debora Shoquist)表示,高性能图形芯片对不同行业的重要性将日益增加,而TEPCO 40纳米通用技术提供的优势将使图形芯片的设计和开发不断突破可能的限制,并将其提升到一个新的水平。

太极公司全球业务及营销副总裁陈盛骏表示,从满足太极庞大客户群的技术需求来看,我们目前成功批量生产40纳米通用和40纳米低功耗技术可以说是更合适的时机,这也将有助于半导体行业和其他行业的创新,走出当前的经济低谷。

太极公司的40纳米通用和40纳米低功耗技术均已通过工艺验证,首批芯片已按原计划生产,并于今年10月通过产品验证,大批量生产客户产品。 像其他代太极技术一样,无论是40纳米通用技术还是低功耗技术,它都可以与混合信号、射频和嵌入式存储技术相结合,满足各种不同的产品应用。

台湾产品公司高级技术高级副总裁陆德银(Liu Deyin)表示,台湾产品公司成功批量生产40纳米技术,再次证明了我们一提出批量生产计划就准时推出的承诺,并再次遥遥领先我们的竞争对手。

目前,许多客户采用台湾产品公司9.0版工艺验证设计参考工艺,充分利用40纳米通用型和40纳米低功耗工艺的优势。 设计参考流程的9.0版整合了许多创新的低功耗技术和工具,也为芯片设计者提供了直观的半代产品设计方法。设计参考工艺版本9.0可以直接获得小型化相关参数,并将最初根据45纳米设计标准设计的产品直接小型化至40纳米,而不是多次为不同的设计工具设置工艺小型化参数 此外,设计参考流程9.0版进一步加强了时间序列分析、基于统计分析的设计和可制造性设计的功能。

台积公司40纳米泛用型及40纳米低耗电工艺的芯片闸密度(Raw gate density)较多可达65纳米工艺的2.35倍。与65纳米泛用型工艺相较,在相同的漏电流水准下,40纳米泛用型工艺的效能增加幅度可达30%;如果是在相同的运转速度情况下,其漏电流减少幅度则可达70%。此外,其操作功耗减少幅度则可达45%。另一方面,与65纳米低耗电工艺相较,在相同的运转速度情况下,40纳米低耗电工艺的漏电流减少幅度可达46%,操作功耗减少幅度可达50%,此一工艺也创下业界SRAM单位元面积仅有0.242平方微米以及宏尺寸较小的纪录。